CVD-SiC（炭化ケイ素コーティング）｜自社処理｜足立熱処理研究所

1400℃前後の温度に加熱された炉内で、母材（SiC、純化処理済みカーボン）に化学蒸着を行い無欠陥のSiC膜を積層するコーティングになります。

炭化ケイ素=SiCまたはSilicon carbide(シリコンカーバイド)と呼ばれる物で、炭素(C)とケイ素(Si)が1:1で結合した共有結合性の化合物で、

高硬度(硬度は13で、ダイヤモンド=硬度は15、炭化ホウ素=硬度は14に次ぐ３番目に硬い)で、

耐熱性にも優れている事から弊社SiCコート膜は硝子レンズ用型の表面などに使用されており、お客様から高い評価を頂いております。

また、炭化ケイ素=SiC自体はシリコン結晶の構造とよく似ている為、半導体やパワー半導体などの関係分野でも弊社SiCコート膜は使用され評価を頂いております。